Корзина
33 отзыва
Радиодетали. Доставка по Беларуси. Ассортимент наполняется !Сделать заказ
БеларусьМогилевская областьМогилевул. Челюскинцев, 137/1
+375 (336) 59-64-50
+375(447) 62-86-42
+375 (222) 72-86-42
ООО "Сансистема"- найдется все
Корзина

Транзистор IRGP50B60PD1PBF

Транзистор IRGP50B60PD1PBF, фото 2
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

IRGP50B60PD – IGBT транзистор в корпусе TO-247 на 600 вольт со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления. 

Характеристики IGBT-транзистора:

  • Структура n-канал+диод
  • Максимальное напряжение кэ ,В 600
  • Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
  • Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
  • Управляющее напряжение,В 5.5
  • Мощность макс.,Вт 390
  • Крутизна характеристики, S 41
  • Температурный диапазон,С -55…150
  • Корпус to-247ac

Возможные аналоги транзистора IRGP50B60PD1:  APT100GN120B2G,  FGH75N60UF

Основные
Производитель  IR
Страна производительМалайзия
Тип транзистораIGBT
Максимально допустимое напряжение коллектор-база600.0 (В)
Максимально допустимый ток коллектора75.0 (А)
Максимальная мощность рассеивания390.0 (Вт)
  • Цена: от 16,30 руб.