Корзина
30 отзывов
Радиодетали. Доставка по Беларуси. Ассортимент наполняется !Сделать заказ
БеларусьМогилевская областьМогилевул. Челюскинцев, 137/1
+375 (336) 59-64-50
+375(447) 62-86-42
+375 (222) 72-86-42
ООО "Сансистема"- найдется все
Корзина

BSM100GAL120DLCK модуль

BSM100GAL120DLCK модуль, фото 2
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Отзывы о товаре

Модуль IGBT биполярных транзисторов с изолированным затвором BSM100GAL120 1200V 100A CHOPPER.

Технические характеристики BSM100GAL120DLCK:

Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 205 A
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 830 W
Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 34MM
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw
Основные
Производитель  Infineon
Страна производительГермания
Тип транзистораТранзисторный модуль
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер1200 В
Максимальная мощность рассеивания830.0 (Вт)
Тип монтажаРучной монтаж
  • Цена: от 220 руб.
  • Возможности поставок: 200 шт./неделя